DMN2005DLP4K-7
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| Numero parte | DMN2005DLP4K-7 |
| PNEDA Part # | DMN2005DLP4K-7 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 298.062 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMN2005DLP4K-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMN2005DLP4K-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
DMN2005DLP4K-7, DMN2005DLP4K-7 Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 96,91 KB)
  
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DMN2005DLP4K-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 400mW |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | X2-DFN1310-6 (Type B) |
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