DMN10H170SVT-7
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Numero parte | DMN10H170SVT-7 |
PNEDA Part # | DMN10H170SVT-7 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 |
Produttore | Diodes Incorporated |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 26.178 |
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DMN10H170SVT-7 Risorse
Brand | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | DMN10H170SVT-7 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
DMN10H170SVT-7, DMN10H170SVT-7 Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 515,51 KB)
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DMN10H170SVT-7 Specifiche
Produttore | Diodes Incorporated |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1167pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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