DMG6301UDW-13
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| Numero parte | DMG6301UDW-13 |
| PNEDA Part # | DMG6301UDW-13 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.950 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMG6301UDW-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMG6301UDW-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMG6301UDW-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 240mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.36nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 27.9pF @ 10V |
| Potenza - Max | 300mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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