DMC3730UVT-13
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| Numero parte | DMC3730UVT-13 |
| PNEDA Part # | DMC3730UVT-13 |
| Descrizione | MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.814 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 1 - giu 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMC3730UVT-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMC3730UVT-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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DMC3730UVT-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 680mA (Ta), 460mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V, 63pF @ 10V |
| Potenza - Max | 700mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1932pF @ 15V Potenza - Max 1.19W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 250mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.23nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 48pF @ 5V Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3315pF @ 6V Potenza - Max 2.67W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore X3-DSN3518-6 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V Potenza - Max 3.1W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) |
