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DMC3028LSDX-13

DMC3028LSDX-13

Solo per riferimento

Numero parte DMC3028LSDX-13
PNEDA Part # DMC3028LSDX-13
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.518
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC3028LSDX-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC3028LSDX-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC3028LSDX-13, DMC3028LSDX-13 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 459,66 KB)
PDFDMC3028LSDX-13 Datasheet Copertura
DMC3028LSDX-13 Datasheet Pagina 2 DMC3028LSDX-13 Datasheet Pagina 3 DMC3028LSDX-13 Datasheet Pagina 4 DMC3028LSDX-13 Datasheet Pagina 5 DMC3028LSDX-13 Datasheet Pagina 6 DMC3028LSDX-13 Datasheet Pagina 7 DMC3028LSDX-13 Datasheet Pagina 8 DMC3028LSDX-13 Datasheet Pagina 9

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  • DMC3028LSDX-13 Distributor

DMC3028LSDX-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.5A, 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds641pF @ 15V
Potenza - Max1.2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A, 5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

ECO-PAC2

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

4 P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1A, 12V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP

Pacchetto dispositivo fornitore

14-DIP

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 4.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1325pF @ 10V

Potenza - Max

600mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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