DMC21D1UDA-7B
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| Numero parte | DMC21D1UDA-7B |
| PNEDA Part # | DMC21D1UDA-7B |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.888 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMC21D1UDA-7B Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMC21D1UDA-7B |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMC21D1UDA-7B Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 455mA (Ta), 328mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V |
| Potenza - Max | 300mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-SMD, No Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | X2-DFN0806-6 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V Potenza - Max 3.2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 562pF @ 10V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 25V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (4x4) |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V Potenza - Max 200mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
