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DGD2005S8-13

DGD2005S8-13

Solo per riferimento

Numero parte DGD2005S8-13
PNEDA Part # DGD2005S8-13
Descrizione IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.794
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DGD2005S8-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDGD2005S8-13
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
DGD2005S8-13, DGD2005S8-13 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 744,46 KB)
PDFDGD2005S8-13 Datasheet Copertura
DGD2005S8-13 Datasheet Pagina 2 DGD2005S8-13 Datasheet Pagina 3 DGD2005S8-13 Datasheet Pagina 4 DGD2005S8-13 Datasheet Pagina 5 DGD2005S8-13 Datasheet Pagina 6 DGD2005S8-13 Datasheet Pagina 7 DGD2005S8-13 Datasheet Pagina 8 DGD2005S8-13 Datasheet Pagina 9 DGD2005S8-13 Datasheet Pagina 10 DGD2005S8-13 Datasheet Pagina 11

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DGD2005S8-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione10V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH0.6V, 2.5V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)290mA, 600mA
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200V
Tempo di salita / discesa (tipico)100ns, 35ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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ISL6612IB

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10.8V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.25A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

26ns, 18ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MAX5075CAUA

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

RC Input Circuit

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

10ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-uMax-EP

UCC27531DBVT

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 32V

Tensione logica - VIL, VIH

1.2V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2.5A, 5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

15ns, 7ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 140°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-6

IR2117STR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

6V, 9.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

80ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

UCC27201DRMT

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 17V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

120V

Tempo di salita / discesa (tipico)

8ns, 7ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 140°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

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