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DDTB142TC-7-F

DDTB142TC-7-F

Solo per riferimento

Numero parte DDTB142TC-7-F
PNEDA Part # DDTB142TC-7-F
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 89.880
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DDTB142TC-7-F Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDDTB142TC-7-F
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
DDTB142TC-7-F, DDTB142TC-7-F Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 194,6 KB)
PDFDDTB142JC-7 Datasheet Copertura
DDTB142JC-7 Datasheet Pagina 2 DDTB142JC-7 Datasheet Pagina 3

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DDTB142TC-7-F Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistorPNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)470 Ohms
Resistenza - Base Emettitore (R2)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA (ICBO)
Frequenza - Transizione200MHz
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

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Tipo di transistor

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

510 Ohms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

5.1 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

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150mW

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-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

100 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

100 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

82 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

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