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DDTA114YLP-7

DDTA114YLP-7

Solo per riferimento

Numero parte DDTA114YLP-7
PNEDA Part # DDTA114YLP-7
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.316
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DDTA114YLP-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDDTA114YLP-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
DDTA114YLP-7, DDTA114YLP-7 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 418,03 KB)
PDFDDTA114YLP-7 Datasheet Copertura
DDTA114YLP-7 Datasheet Pagina 2 DDTA114YLP-7 Datasheet Pagina 3 DDTA114YLP-7 Datasheet Pagina 4 DDTA114YLP-7 Datasheet Pagina 5

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DDTA114YLP-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistorPNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)10 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)47 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione250MHz
Potenza - Max250mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-UFDFN
Pacchetto dispositivo fornitore3-DFN1006 (1.0x0.6)

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SMT3; MPAK

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

500mW

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

FJN3302RTA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

DDTA143XE-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-523

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523

FJV4107RMTF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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