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DDB6U84N16RRBOSA1

DDB6U84N16RRBOSA1

Solo per riferimento

Numero parte DDB6U84N16RRBOSA1
PNEDA Part # DDB6U84N16RRBOSA1
Descrizione IGBT MODULE 1600V 60A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario
1 ---------- $1.088,8516
50 ---------- $1.037,8117
100 ---------- $986,7717
200 ---------- $935,7318
400 ---------- $893,1986
500 ---------- $850,6653
Disponibile 197
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DDB6U84N16RRBOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDDB6U84N16RRBOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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DDB6U84N16RRBOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneSingle Chopper
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50A
Potenza - Max350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 20V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce3.3nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Dual, Common Source

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400A

Potenza - Max

1780W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

GSID150A120S6A4

Global Power Technologies Group

Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

Amp+™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

275A

Potenza - Max

1035W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

20.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

A1P25S12M3

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Potenza - Max

197W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1550pF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

ACEPACK™ 1

APTGT75DH60T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Asymmetrical Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

FF50R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

285W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

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