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DB4J314K0R

DB4J314K0R

Solo per riferimento

Numero parte DB4J314K0R
PNEDA Part # DB4J314K0R
Descrizione DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SMINI4
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 51.906
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 6 - giu 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DB4J314K0R Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDB4J314K0R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
DB4J314K0R, DB4J314K0R Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 464,29 KB)
PDFDB4J314K0R Datasheet Copertura
DB4J314K0R Datasheet Pagina 2 DB4J314K0R Datasheet Pagina 3 DB4J314K0R Datasheet Pagina 4

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DB4J314K0R Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Configurazione diodi2 Independent
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)30mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 30mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)1ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr300nA @ 30V
Temperatura di esercizio - Giunzione125°C (Max)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitoreSMini4-F3-B

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Configurazione diodi

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 1200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ADD-A-PAK (3)

Pacchetto dispositivo fornitore

ADD-A-PAK®

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

35A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.09V @ 35A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

28ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

60µA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-218-3, TO-218AC

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-218

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Produttore

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Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

300A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 300A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

8mA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

TO-244AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-244AB

MBR2045CTE3/TU

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 10A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

60A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

880mV @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 150V

Temperatura di esercizio - Giunzione

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