D3501N42TXPSA1
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| Numero parte | D3501N42TXPSA1 |
| PNEDA Part # | D3501N42TXPSA1 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 4.2KV 4870A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.012 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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D3501N42TXPSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | D3501N42TXPSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
D3501N42TXPSA1, D3501N42TXPSA1 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 244,65 KB)
  
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D3501N42TXPSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 4200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 4870A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.27V @ 4000A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100mA @ 4200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-200AE |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 160°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/118 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 225V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 25nA @ 225V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
