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CY7C199C-25PC

CY7C199C-25PC

Solo per riferimento

Numero parte CY7C199C-25PC
PNEDA Part # CY7C199C-25PC
Descrizione IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.546
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 3 - lug 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C199C-25PC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C199C-25PC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C199C-25PC, CY7C199C-25PC Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 256,12 KB)
PDFCY7C199CL-15VXCT Datasheet Copertura
CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 2 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 3 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 4 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 5 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 6 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 7 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 8 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 9 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 10 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 11

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CY7C199C-25PC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina25ns
Tempo di accesso25ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia28-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore28-PDIP

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

533MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

168-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

168-WFBGA (12x12)

W94AD2KBJX5I

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

1Gb (32M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IDT71V2548S150PF8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

150MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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