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CY7C1470BV25-167BZC

CY7C1470BV25-167BZC

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1470BV25-167BZC
PNEDA Part # CY7C1470BV25-167BZC
Descrizione IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.102
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 20 - giu 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1470BV25-167BZC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1470BV25-167BZC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1470BV25-167BZC, CY7C1470BV25-167BZC Datasheet (Totale pagine: 29, Dimensioni: 884,12 KB)
PDFCY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Copertura
CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 2 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 3 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 4 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 5 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 6 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 7 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 8 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 9 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 10 CY7C1474BV25-200BGIT Datasheet Pagina 11

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CY7C1470BV25-167BZC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieNoBL™
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria72Mb (2M x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso3.4ns
Tensione - Alimentazione2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-FBGA (15x17)

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Produttore

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Serie

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

400ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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8-MSOP

71V67703S75BQGI8

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

117MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CABGA (13x15)

MX30UF4G18AB-TI

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Produttore

Macronix

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

DS1270Y-70

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

36-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

36-EDIP

CY7C1399BL-12ZXC

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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