CY7C1425KV18-333BZC
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| Numero parte | CY7C1425KV18-333BZC |
| PNEDA Part # | CY7C1425KV18-333BZC |
| Descrizione | IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.282 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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CY7C1425KV18-333BZC Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY7C1425KV18-333BZC |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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CY7C1425KV18-333BZC Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II |
| Dimensione della memoria | 36Mb (4M x 9) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 333MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 165-LBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (13x15) |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 16Kb (1K x 16) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 3MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EPROM Tecnologia EPROM - OTP Dimensione della memoria 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 120ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 32-LCC (J-Lead) Pacchetto dispositivo fornitore 32-PLCC (13.97x11.43) |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 15ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-TSOP II |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 450ps Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 84-FBGA (8x12.5) |
