CY7C1414KV18-250BZXC
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| Numero parte | CY7C1414KV18-250BZXC |
| PNEDA Part # | CY7C1414KV18-250BZXC |
| Descrizione | IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.608 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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CY7C1414KV18-250BZXC Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY7C1414KV18-250BZXC |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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CY7C1414KV18-250BZXC Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II |
| Dimensione della memoria | 36Mb (1M x 36) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 250MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 165-LBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (13x15) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Alliance Memory, Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 96-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 96-FBGA (8x13) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia DRAM - FP Dimensione della memoria 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 30ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 42-SOJ |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia DRAM - FP Dimensione della memoria 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 18ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 40 Leads Pacchetto dispositivo fornitore 40-TSOP |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 2Mb (128K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-TSOP II |
