CY7C1383D-133AXI
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| Numero parte | CY7C1383D-133AXI | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | CY7C1383D-133AXI | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP | ||||||||||||||||||
| Produttore | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1.517 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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CY7C1383D-133AXI Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | CY7C1383D-133AXI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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CY7C1383D-133AXI Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Synchronous, SDR |
| Dimensione della memoria | 18Mb (1M x 18) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 133MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 6.5ns |
| Tensione - Alimentazione | 3.135V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 100-LQFP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 100-TQFP (14x20) |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 18Mb (1M x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.1ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-TFBGA (13x15) |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 4.2ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 119-PBGA (14x22) |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 4.5Mb (128K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 183MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 5.5ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 119-PBGA (14x22) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, QDR II Dimensione della memoria 18Mb (1M x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (13x15) |
