CY7C1370D-167AXC
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| Numero parte | CY7C1370D-167AXC |
| PNEDA Part # | CY7C1370D-167AXC |
| Descrizione | IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 1.338 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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CY7C1370D-167AXC Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY7C1370D-167AXC |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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CY7C1370D-167AXC Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | NoBL™ |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Synchronous, SDR |
| Dimensione della memoria | 18Mb (512K x 36) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 167MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 3.4ns |
| Tensione - Alimentazione | 3.135V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 100-LQFP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 100-TQFP (14x20) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 4Kb (512 x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 900ns Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 15ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 28-SOJ |
