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CY7C1250V18-333BZXC

CY7C1250V18-333BZXC

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1250V18-333BZXC
PNEDA Part # CY7C1250V18-333BZXC
Descrizione IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $982,0809
50 ---------- $936,0459
100 ---------- $890,0108
200 ---------- $843,9758
400 ---------- $805,6132
500 ---------- $767,2507
Disponibile 112
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1250V18-333BZXC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1250V18-333BZXC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1250V18-333BZXC, CY7C1250V18-333BZXC Datasheet (Totale pagine: 27, Dimensioni: 642,75 KB)
PDFCY7C1250V18-333BZXC Datasheet Copertura
CY7C1250V18-333BZXC Datasheet Pagina 2 CY7C1250V18-333BZXC Datasheet Pagina 3 CY7C1250V18-333BZXC Datasheet Pagina 4 CY7C1250V18-333BZXC Datasheet Pagina 5 CY7C1250V18-333BZXC Datasheet Pagina 6 CY7C1250V18-333BZXC Datasheet Pagina 7 CY7C1250V18-333BZXC Datasheet Pagina 8 CY7C1250V18-333BZXC Datasheet Pagina 9 CY7C1250V18-333BZXC Datasheet Pagina 10 CY7C1250V18-333BZXC Datasheet Pagina 11

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CY7C1250V18-333BZXC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, DDR II
Dimensione della memoria36Mb (1M x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-FBGA (15x17)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

MT29F4G08ABBDAH4-IT:D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA (9x11)

S34MS01G104BHI910

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MS-1

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-BGA (11x9)

7005S35PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

64-TQFP (14x14)

MTFC4GACAAAM-1M WT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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