CY7C1041G-10ZSXI
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| Numero parte | CY7C1041G-10ZSXI |
| PNEDA Part # | CY7C1041G-10ZSXI |
| Descrizione | IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.188 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 5 - giu 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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CY7C1041G-10ZSXI Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY7C1041G-10ZSXI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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CY7C1041G-10ZSXI Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
| Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 10ns |
| Tempo di accesso | 10ns |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP II |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 5ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 90-VFBGA (8x13) |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 512Gb (64G x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
