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CY7C1021CV33-10BAXI

CY7C1021CV33-10BAXI

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1021CV33-10BAXI
PNEDA Part # CY7C1021CV33-10BAXI
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.950
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1021CV33-10BAXI Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1021CV33-10BAXI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1021CV33-10BAXI, CY7C1021CV33-10BAXI Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 394,87 KB)
PDFCY7C1021CV33-15ZSXAT Datasheet Copertura
CY7C1021CV33-15ZSXAT Datasheet Pagina 2 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datasheet Pagina 3 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datasheet Pagina 4 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datasheet Pagina 5 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datasheet Pagina 6 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datasheet Pagina 7 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datasheet Pagina 8 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datasheet Pagina 9 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datasheet Pagina 10 CY7C1021CV33-15ZSXAT Datasheet Pagina 11

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CY7C1021CV33-10BAXI Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ns
Tempo di accesso10ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-FBGA (7x7)

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Produttore

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Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

4Gb (1G x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

50MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

7µs, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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