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CY7C1021CV26-15VXE

CY7C1021CV26-15VXE

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1021CV26-15VXE
PNEDA Part # CY7C1021CV26-15VXE
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.462
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1021CV26-15VXE Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1021CV26-15VXE
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1021CV26-15VXE, CY7C1021CV26-15VXE Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 533,33 KB)
PDFCY7C1021CV26-15BAET Datasheet Copertura
CY7C1021CV26-15BAET Datasheet Pagina 2 CY7C1021CV26-15BAET Datasheet Pagina 3 CY7C1021CV26-15BAET Datasheet Pagina 4 CY7C1021CV26-15BAET Datasheet Pagina 5 CY7C1021CV26-15BAET Datasheet Pagina 6 CY7C1021CV26-15BAET Datasheet Pagina 7 CY7C1021CV26-15BAET Datasheet Pagina 8 CY7C1021CV26-15BAET Datasheet Pagina 9 CY7C1021CV26-15BAET Datasheet Pagina 10 CY7C1021CV26-15BAET Datasheet Pagina 11

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CY7C1021CV26-15VXE Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso15ns
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-SOJ

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Produttore

Microchip Technology

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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28-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

33MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

250ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

40-TSOP

AT24C04D-CUM-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

450ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VFBGA (1.5x2)

IS45S32200L-7TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (2M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

86-TSOP II

IS62WV5128EBLL-45T2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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