CY7C1021B-15ZXC
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| Numero parte | CY7C1021B-15ZXC |
| PNEDA Part # | CY7C1021B-15ZXC |
| Descrizione | IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.254 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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CY7C1021B-15ZXC Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY7C1021B-15ZXC |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
CY7C1021B-15ZXC, CY7C1021B-15ZXC Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 321,54 KB)
  
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CY7C1021B-15ZXC Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
| Dimensione della memoria | 1Mb (64K x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 15ns |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP II |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Dimensione della memoria 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 168-VFBGA (12x12) |
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