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CY7C1021B-15ZXC

CY7C1021B-15ZXC

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1021B-15ZXC
PNEDA Part # CY7C1021B-15ZXC
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.254
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1021B-15ZXC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1021B-15ZXC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1021B-15ZXC, CY7C1021B-15ZXC Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 321,54 KB)
PDFCY7C1021BL-15ZXIT Datasheet Copertura
CY7C1021BL-15ZXIT Datasheet Pagina 2 CY7C1021BL-15ZXIT Datasheet Pagina 3 CY7C1021BL-15ZXIT Datasheet Pagina 4 CY7C1021BL-15ZXIT Datasheet Pagina 5 CY7C1021BL-15ZXIT Datasheet Pagina 6 CY7C1021BL-15ZXIT Datasheet Pagina 7 CY7C1021BL-15ZXIT Datasheet Pagina 8 CY7C1021BL-15ZXIT Datasheet Pagina 9 CY7C1021BL-15ZXIT Datasheet Pagina 10

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CY7C1021B-15ZXC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso15ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-TSOP II

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

2Gb (64M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

168-VFBGA

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.4V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

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Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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