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CY7C09199V-9AXI

CY7C09199V-9AXI

Solo per riferimento

Numero parte CY7C09199V-9AXI
PNEDA Part # CY7C09199V-9AXI
Descrizione IC SRAM 1.152M PARALLEL 100TQFP
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.484
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C09199V-9AXI Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C09199V-9AXI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C09199V-9AXI, CY7C09199V-9AXI Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 592,51 KB)
PDFCY7C09089V-12AXI Datasheet Copertura
CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 2 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 3 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 4 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 5 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 6 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 7 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 8 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 9 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 10 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 11

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CY7C09199V-9AXI Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria1.152Mb (128K x 9)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock67MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso9ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore100-TQFP (14x14)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Volatile

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x13)

CY7C1512V18-167BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

750ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP

Produttore

Macronix

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY7C1021DV33-10BVXIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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