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CY7C0831AV-133BBXI

CY7C0831AV-133BBXI

Solo per riferimento

Numero parte CY7C0831AV-133BBXI
PNEDA Part # CY7C0831AV-133BBXI
Descrizione IC SRAM 2M PARALLEL 144FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.770
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CY7C0831AV-133BBXI Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C0831AV-133BBXI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C0831AV-133BBXI, CY7C0831AV-133BBXI Datasheet (Totale pagine: 28, Dimensioni: 694,81 KB)
PDFCY7C0831AV-167AXC Datasheet Copertura
CY7C0831AV-167AXC Datasheet Pagina 2 CY7C0831AV-167AXC Datasheet Pagina 3 CY7C0831AV-167AXC Datasheet Pagina 4 CY7C0831AV-167AXC Datasheet Pagina 5 CY7C0831AV-167AXC Datasheet Pagina 6 CY7C0831AV-167AXC Datasheet Pagina 7 CY7C0831AV-167AXC Datasheet Pagina 8 CY7C0831AV-167AXC Datasheet Pagina 9 CY7C0831AV-167AXC Datasheet Pagina 10 CY7C0831AV-167AXC Datasheet Pagina 11

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CY7C0831AV-133BBXI Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria2Mb (128K x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia144-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore144-FBGA (13x13)

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

85ns

Tempo di accesso

85ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Socket

Pacchetto / Custodia

80-SIMM

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80-SIMM

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

52MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

85ns

Tempo di accesso

85ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-EasyBGA (10x13)

IDT71V416VS12PHGI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-UDFN (2x3)

BR24G04FVM-3GTTR

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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