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CY62256VNLL-70ZRXE

CY62256VNLL-70ZRXE

Solo per riferimento

Numero parte CY62256VNLL-70ZRXE
PNEDA Part # CY62256VNLL-70ZRXE
Descrizione IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.964
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY62256VNLL-70ZRXE Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY62256VNLL-70ZRXE
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY62256VNLL-70ZRXE, CY62256VNLL-70ZRXE Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 416,43 KB)
PDFCY62256VNLL-70ZXAT Datasheet Copertura
CY62256VNLL-70ZXAT Datasheet Pagina 2 CY62256VNLL-70ZXAT Datasheet Pagina 3 CY62256VNLL-70ZXAT Datasheet Pagina 4 CY62256VNLL-70ZXAT Datasheet Pagina 5 CY62256VNLL-70ZXAT Datasheet Pagina 6 CY62256VNLL-70ZXAT Datasheet Pagina 7 CY62256VNLL-70ZXAT Datasheet Pagina 8 CY62256VNLL-70ZXAT Datasheet Pagina 9 CY62256VNLL-70ZXAT Datasheet Pagina 10 CY62256VNLL-70ZXAT Datasheet Pagina 11

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CY62256VNLL-70ZRXE Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-TSOP I

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Micron Technology Inc.

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Dimensione della memoria

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Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Silicon Motion, Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

-

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Everspin Technologies Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN-EP, Large Flag (5x6)

S25FL127SABMFB100

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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