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CY62256NL-70PXC

CY62256NL-70PXC

Solo per riferimento

Numero parte CY62256NL-70PXC
PNEDA Part # CY62256NL-70PXC
Descrizione IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.840
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY62256NL-70PXC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY62256NL-70PXC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY62256NL-70PXC, CY62256NL-70PXC Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 574,34 KB)
PDFCY62256NLL-55ZRXET Datasheet Copertura
CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 2 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 3 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 4 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 5 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 6 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 7 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 8 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 9 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 10 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 11

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CY62256NL-70PXC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia28-DIP (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore28-DIP

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

2Gb (512M x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

533MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

13.125ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (9x11.5)

CY7C109B-15ZC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microchip Technology

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

4.5µs

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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