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CY62147EV18LL-45BVXI

CY62147EV18LL-45BVXI

Solo per riferimento

Numero parte CY62147EV18LL-45BVXI
PNEDA Part # CY62147EV18LL-45BVXI
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.562
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY62147EV18LL-45BVXI Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY62147EV18LL-45BVXI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY62147EV18LL-45BVXI, CY62147EV18LL-45BVXI Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 386,17 KB)
PDFCY62147EV18LL-45BVXIT Datasheet Copertura
CY62147EV18LL-45BVXIT Datasheet Pagina 2 CY62147EV18LL-45BVXIT Datasheet Pagina 3 CY62147EV18LL-45BVXIT Datasheet Pagina 4 CY62147EV18LL-45BVXIT Datasheet Pagina 5 CY62147EV18LL-45BVXIT Datasheet Pagina 6 CY62147EV18LL-45BVXIT Datasheet Pagina 7 CY62147EV18LL-45BVXIT Datasheet Pagina 8 CY62147EV18LL-45BVXIT Datasheet Pagina 9 CY62147EV18LL-45BVXIT Datasheet Pagina 10 CY62147EV18LL-45BVXIT Datasheet Pagina 11

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CY62147EV18LL-45BVXI Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina45ns
Tempo di accesso45ns
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 2.25V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-VFBGA (6x8)

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Winbond Electronics

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

MT46V32M16BN-75:C TR

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

750ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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