CY15B256Q-SXAT
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| Numero parte | CY15B256Q-SXAT |
| PNEDA Part # | CY15B256Q-SXAT |
| Descrizione | IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8SOIC |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 99.846 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 4 - giu 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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CY15B256Q-SXAT Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY15B256Q-SXAT |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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CY15B256Q-SXAT Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | F-RAM™ |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FRAM |
| Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza di clock | 40MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 2V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie FL-L Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 64Mb (8M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O, QPI Frequenza di clock 108MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-USON (4x4) |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria 4.5Mb (128K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 8ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 119-PBGA (14x22) |
