CY14B104L-BA20XI
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| Numero parte | CY14B104L-BA20XI |
| PNEDA Part # | CY14B104L-BA20XI |
| Descrizione | IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.160 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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CY14B104L-BA20XI Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY14B104L-BA20XI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
CY14B104L-BA20XI, CY14B104L-BA20XI Datasheet
(Totale pagine: 25, Dimensioni: 791,82 KB)
  
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CY14B104L-BA20XI Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | NVSRAM |
| Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 20ns |
| Tempo di accesso | 20ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-FBGA (6x10) |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 4Kb (512 x 8, 256 x 16) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 3MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 2ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria 4.5Mb (128K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 150MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.8ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 119-PBGA (14x22) |
Produttore Microchip Technology Serie SST26 SQI® Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH Dimensione della memoria 16M (2M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O Frequenza di clock 80MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 1.5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-WDFN (5x6) |
Produttore Winbond Electronics Serie SpiFlash® Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH Dimensione della memoria 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 75MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 3ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
