CSD88537ND
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| Numero parte | CSD88537ND |
| PNEDA Part # | CSD88537ND |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 17.254 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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CSD88537ND Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD88537ND |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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CSD88537ND Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 30V |
| Potenza - Max | 2.1W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V Potenza - Max 4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
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