CSD87313DMS
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| Numero parte | CSD87313DMS | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | CSD87313DMS | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON | ||||||||||||||||||
| Produttore | Texas Instruments | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 12.182 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | giu 22 - giu 27 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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CSD87313DMS Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD87313DMS |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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CSD87313DMS Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4290pF @ 15V |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (3.3x3.3) |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 10V Potenza - Max 1.7W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-DFN-EP (2x5) |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 6V Potenza - Max 6.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SC-70-6 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Produttore Vishay Siliconix Serie LITTLE FOOT® Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.8A, 8.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.5mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1W, 1.25W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
