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CSD87312Q3E

CSD87312Q3E

Solo per riferimento

Numero parte CSD87312Q3E
PNEDA Part # CSD87312Q3E
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Produttore Texas Instruments
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 20.724
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CSD87312Q3E Risorse

Brand Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCSD87312Q3E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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CSD87312Q3E Specifiche

Produttore
SerieNexFET™
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Source
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 7A , 8V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1250pF @ 15V
Potenza - Max2.5W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-VSON (3.3x3.3)

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

61mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 6V

Potenza - Max

6.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 5mA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

830mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13.1A (Ta), 47.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2615pF @ 30V

Potenza - Max

2.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

71mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1A

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 10V

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