CSD85312Q3E
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| Numero parte | CSD85312Q3E | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | CSD85312Q3E | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON | ||||||||||||||||||
| Produttore | Texas Instruments | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 2.238 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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CSD85312Q3E Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD85312Q3E |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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CSD85312Q3E Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Funzione FET | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 39A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 10A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2390pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2.5W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSON (3.3x3.3) |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
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