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CSD75301W1015

CSD75301W1015

Solo per riferimento

Numero parte CSD75301W1015
PNEDA Part # CSD75301W1015
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
Produttore Texas Instruments
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.284
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CSD75301W1015 Risorse

Brand Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCSD75301W1015
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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CSD75301W1015 Specifiche

Produttore
SerieNexFET™
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds195pF @ 10V
Potenza - Max800mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UFBGA, DSBGA
Pacchetto dispositivo fornitore6-DSBGA (1x1.5)

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.57nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6.6pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

6-MCPH

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 50A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.55V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3950pF @ 800V

Potenza - Max

20mW

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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Produttore

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Funzione FET

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 4.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 10V

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