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CSD75301W1015

CSD75301W1015

Solo per riferimento

Numero parte CSD75301W1015
PNEDA Part # CSD75301W1015
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
Produttore Texas Instruments
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.284
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CSD75301W1015 Risorse

Brand Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCSD75301W1015
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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CSD75301W1015 Specifiche

Produttore
SerieNexFET™
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds195pF @ 10V
Potenza - Max800mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UFBGA, DSBGA
Pacchetto dispositivo fornitore6-DSBGA (1x1.5)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 50A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.55V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3950pF @ 800V

Potenza - Max

20mW

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

SH8M24GZETB

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

45V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC, 18.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF, 1700pF @ 10V

Potenza - Max

1.4W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

MCH6604-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.57nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6.6pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

6-MCPH

SI5509DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.1A, 4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

455pF @ 10V

Potenza - Max

4.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

830mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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