CSD25213W10
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| Numero parte | CSD25213W10 |
| PNEDA Part # | CSD25213W10 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 15.077 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD25213W10 Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD25213W10 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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CSD25213W10 Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | -6V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 478pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DSBGA (1x1) |
| Pacchetto / Custodia | 4-UFBGA, DSBGA |
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