CSD18512Q5B
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| Numero parte | CSD18512Q5B |
| PNEDA Part # | CSD18512Q5B |
| Descrizione | 40V N CH MOSFET |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.526 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 8 - giu 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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CSD18512Q5B Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD18512Q5B |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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CSD18512Q5B Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 211A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7120pF @ 20V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 139W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 43A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore IPAK (TO-251) Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 424pF @ 5V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 8V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1860pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type F) Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad |
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 93µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2350pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 158W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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