CSD16321Q5C
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| Numero parte | CSD16321Q5C |
| PNEDA Part # | CSD16321Q5C |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 100A 8SON |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.290 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 24 - giu 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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CSD16321Q5C Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD16321Q5C |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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CSD16321Q5C Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Ta), 100A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 25A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | +10V, -8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 12.5V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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Produttore STMicroelectronics Serie STripFET™ II Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.95V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 84W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore ATPAK Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.4nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 152pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-DFN (2x2) Pacchetto / Custodia 6-WDFN Exposed Pad |
