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CSD16301Q2

CSD16301Q2

Solo per riferimento

Numero parte CSD16301Q2
PNEDA Part # CSD16301Q2
Descrizione MOSFET N-CH 25V 6-SON
Produttore Texas Instruments
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 323.046
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CSD16301Q2 Risorse

Brand Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCSD16301Q2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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CSD16301Q2 Specifiche

Produttore
SerieNexFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id1.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8nC @ 4.5V
Vgs (massimo)+10V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds340pF @ 12.5V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.3W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-SON
Pacchetto / Custodia6-SMD, Flat Leads

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 75V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

38W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSDSON-8

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

TK8Q60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 400µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 300V

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

80W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Stub Leads, IPak

STD3N95K5AG

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ K5

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

950V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

105pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRL3803PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

140A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 71A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

AOI538

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Ta), 70A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2160pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

4.2W (Ta), 24W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Pacchetto dispositivo fornitore

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