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CSD13303W1015

CSD13303W1015

Solo per riferimento

Numero parte CSD13303W1015
PNEDA Part # CSD13303W1015
Descrizione MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Produttore Texas Instruments
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.106
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CSD13303W1015 Risorse

Brand Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCSD13303W1015
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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CSD13303W1015 Specifiche

Produttore
SerieNexFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C31A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds715pF @ 6V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.65W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-DSBGA
Pacchetto / Custodia6-UFBGA, DSBGA

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

230mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14.1pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

350mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

X2-DFN1006-3

Pacchetto / Custodia

3-XFDFN

IRFU3412PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

48A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

89nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3430pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

140W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

IPAK (TO-251)

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

STFI130N10F3

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ III

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3305pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I2PAKFP (TO-281)

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

DMN2025UFDF-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

486pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Renesas Electronics America

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.95mOhm @ 45A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

102nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5850pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.8W (Ta), 147W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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