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CP373-CTLDM303N-WN

CP373-CTLDM303N-WN

Solo per riferimento

Numero parte CP373-CTLDM303N-WN
PNEDA Part # CP373-CTLDM303N-WN
Descrizione MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP
Produttore Central Semiconductor Corp
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.238
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Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CP373-CTLDM303N-WN Risorse

Brand Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCP373-CTLDM303N-WN
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
CP373-CTLDM303N-WN, CP373-CTLDM303N-WN Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 873,29 KB)
PDFCP373-CTLDM303N-WN Datasheet Copertura
CP373-CTLDM303N-WN Datasheet Pagina 2 CP373-CTLDM303N-WN Datasheet Pagina 3 CP373-CTLDM303N-WN Datasheet Pagina 4 CP373-CTLDM303N-WN Datasheet Pagina 5

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  • CP373-CTLDM303N-WN Distributor

CP373-CTLDM303N-WN Specifiche

ProduttoreCentral Semiconductor Corp
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / Custodia-

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

235nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS247™

AUIRF7640S2TR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A (Ta), 21A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.4W (Ta), 30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DIRECTFET SB

Pacchetto / Custodia

DirectFET™ Isometric SB

IRFL210TRPBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

960mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 580mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

DMP1012UCB9-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

-6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 4V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

890mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

U-WLB1515-9

Pacchetto / Custodia

9-UFBGA, WLBGA

DMN53D0L-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

370mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Venduto di recente

M25PX16-VMW6TG TR

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IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO

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DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3

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IC CTRLR KEY-SW I2C 40TQFN

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Cypress Semiconductor

IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC

MIC47100YMME

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Microchip Technology

IC REG LINEAR POS ADJ 1A 8MSOP

AD8556ARZ

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IC OPAMP ZERO-DRIFT 1 CIRC 8SOIC

BNX023-01L

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Murata

FILTER LC 1UF SMD

L7980TR

L7980TR

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IC REG BUCK ADJ 2A 8VFQFPN

RO-1212S

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TRANS NPN 40V 0.2A SMD SOT23-3

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IRF7811ATRPBF

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MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC