CMLDM5757 TR
Solo per riferimento
| Numero parte | CMLDM5757 TR |
| PNEDA Part # | CMLDM5757-TR |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563 |
| Produttore | Central Semiconductor Corp |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 28.560 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
CMLDM5757 TR Risorse
| Brand | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | CMLDM5757 TR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- CMLDM5757 TR Datasheet
- where to find CMLDM5757 TR
- Central Semiconductor Corp
- Central Semiconductor Corp CMLDM5757 TR
- CMLDM5757 TR PDF Datasheet
- CMLDM5757 TR Stock
- CMLDM5757 TR Pinout
- Datasheet CMLDM5757 TR
- CMLDM5757 TR Supplier
- Central Semiconductor Corp Distributor
- CMLDM5757 TR Price
- CMLDM5757 TR Distributor
CMLDM5757 TR Specifiche
| Produttore | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 430mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 430mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 16V |
| Potenza - Max | 350mW |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 73mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 125pf @ 15V Potenza - Max 2.4W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore TSMT8 |
Produttore EPC Serie eGaN® Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A, 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1082pF @ 10V Potenza - Max 600mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 220mA, 460mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-6 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 830mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
