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CJ3139KDW-G

CJ3139KDW-G

Solo per riferimento

Numero parte CJ3139KDW-G
PNEDA Part # CJ3139KDW-G
Descrizione MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
Produttore Comchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 55.578
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CJ3139KDW-G Risorse

Brand Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCJ3139KDW-G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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CJ3139KDW-G Specifiche

ProduttoreComchip Technology
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs520mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds170pF @ 16V
Potenza - Max150mW
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

955pF @ 20V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

APTC60HM35T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

72A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5.4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

518nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V

Potenza - Max

416W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

DMNH6035SPDW-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

DMG6898LSD-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1149pF @ 10V

Potenza - Max

1.28W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

FDG6308P

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

153pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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