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CAV24C16YE-GT3

CAV24C16YE-GT3

Solo per riferimento

Numero parte CAV24C16YE-GT3
PNEDA Part # CAV24C16YE-GT3
Descrizione IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8TSSOP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 27.384
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CAV24C16YE-GT3 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCAV24C16YE-GT3
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CAV24C16YE-GT3, CAV24C16YE-GT3 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 142,56 KB)
PDFCAV24C08YE-GT3 Datasheet Copertura
CAV24C08YE-GT3 Datasheet Pagina 2 CAV24C08YE-GT3 Datasheet Pagina 3 CAV24C08YE-GT3 Datasheet Pagina 4 CAV24C08YE-GT3 Datasheet Pagina 5 CAV24C08YE-GT3 Datasheet Pagina 6 CAV24C08YE-GT3 Datasheet Pagina 7 CAV24C08YE-GT3 Datasheet Pagina 8 CAV24C08YE-GT3 Datasheet Pagina 9 CAV24C08YE-GT3 Datasheet Pagina 10 CAV24C08YE-GT3 Datasheet Pagina 11

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CAV24C16YE-GT3 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria16Kb (2K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso900ns
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

32Gb (4G x 8)

Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (128 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

6ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IS61WV25616EDBLL-8BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ns

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TFBGA (6x8)

MT51K256M32HF-70:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

SGRAM - GDDR5

Dimensione della memoria

8Gb (256M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.75GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.3V ~ 1.545V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

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