CAT25M02VI-GT3
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| Numero parte | CAT25M02VI-GT3 |
| PNEDA Part # | CAT25M02VI-GT3 |
| Descrizione | IC EEPROM 2M SPI 10MHZ 8SOIC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.858 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 27 - giu 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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CAT25M02VI-GT3 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CAT25M02VI-GT3 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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CAT25M02VI-GT3 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 2Mb (256K x 8) |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza di clock | 10MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 6ms |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 6.5ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x14) |
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