CAT24M01WI-GT3JN
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| Numero parte | CAT24M01WI-GT3JN |
| PNEDA Part # | CAT24M01WI-GT3JN |
| Descrizione | IC EEPROM 1M I2C 1MHZ |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.310 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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CAT24M01WI-GT3JN Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CAT24M01WI-GT3JN |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
CAT24M01WI-GT3JN, CAT24M01WI-GT3JN Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 173,38 KB)
  
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CAT24M01WI-GT3JN Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
| Interfaccia di memoria | I²C |
| Frequenza di clock | 1MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 5ms |
| Tempo di accesso | 400ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.8V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR3 Dimensione della memoria 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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