C4D02120E-TR
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| Numero parte | C4D02120E-TR |
| PNEDA Part # | C4D02120E-TR |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9A TO252-2 |
| Produttore | Cree/Wolfspeed |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 23.304 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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C4D02120E-TR Risorse
| Brand | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | C4D02120E-TR |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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C4D02120E-TR Specifiche
| Produttore | Cree/Wolfspeed |
| Serie | Z-Rec® |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 2A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | 167pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252-2 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 530mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 800µA @ 60V Capacità @ Vr, F 90pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore DO-219AB (SMF) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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