C3M0065100K
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| Numero parte | C3M0065100K |
| PNEDA Part # | C3M0065100K |
| Descrizione | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET |
| Produttore | Cree/Wolfspeed |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 27.096 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 14 - lug 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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C3M0065100K Risorse
| Brand | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | C3M0065100K |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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C3M0065100K Specifiche
| Produttore | Cree/Wolfspeed |
| Serie | C3M™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 15V |
| Vgs (massimo) | +19V, -8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 600V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 113.5W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-4L |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-4 |
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