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BY229B-800HE3/81

BY229B-800HE3/81

Solo per riferimento

Numero parte BY229B-800HE3/81
PNEDA Part # BY229B-800HE3-81
Descrizione DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.394
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 2 - giu 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BY229B-800HE3/81 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBY229B-800HE3/81
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
BY229B-800HE3/81, BY229B-800HE3/81 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 129,93 KB)
PDFBY229X-800HE3/45 Datasheet Copertura
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BY229B-800HE3/81 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.85V @ 20A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)145ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 20A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

400µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

1060pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

S8GC M6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

985mV @ 8A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

48pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

B0520WS-7-F

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

430mV @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

250µA @ 20V

Capacità @ Vr, F

58pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-76, SOD-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-323

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

FFSPF0865A

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 8A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

463pF @ 1V, 100kHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F-2FS

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

1N5402RL

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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