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BVSS84LT1G

BVSS84LT1G

Solo per riferimento

Numero parte BVSS84LT1G
PNEDA Part # BVSS84LT1G
Descrizione MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 737.382
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Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BVSS84LT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBVSS84LT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BVSS84LT1G, BVSS84LT1G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 181,01 KB)
PDFBSS84LT1 Datasheet Copertura
BSS84LT1 Datasheet Pagina 2 BSS84LT1 Datasheet Pagina 3 BSS84LT1 Datasheet Pagina 4 BSS84LT1 Datasheet Pagina 5

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BVSS84LT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C130mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds36pF @ 5V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)225mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Diodes Incorporated

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

TPC6006-H(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIII-H

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

251pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

VS-6 (2.9x2.8)

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

IRL2505STRL

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

104A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 54A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

44A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (IXTA)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Produttore

IXYS

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Tipo FET

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MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

470mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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-

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